Infineon Technologies BSM150GB120DN2HOSA1
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BSM150GB120DN2HOSA1
1211-BSM150GB120DN2HOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT MOD 1200V 210A 1250W
1最小包装量--
BSM150GB120DN2HOSA1详情
Infineon Technologies BSM150GB120DN2HOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
Current-Collector (Ic) (Max)
210A
操作温度
150°C TJ
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
配置
半桥
功率 - 最大
1250W
输入
Standard
最大集极截止电流
2.8mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3V @ 15V, 150A
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
11nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSM150GB120DN2HOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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