Infineon Technologies BSM150GB170DN2HOSA1

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.7kV

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

已出版

1999

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

7

最大功率耗散

1.25kW

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

7

JESD-30代码

R-XUFM-X7

配置

半桥

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1250W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

3.9V

最大集电极电流

220A

最大集极截止电流

1.5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1700V

输入电容

20nF

接通时间

720 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 150A

关断时间-标准值（toff)

1310 ns

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

20nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准