Infineon Technologies BSM25GD120DN2E3224BPSA1
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BSM25GD120DN2E3224BPSA1
1211-BSM25GD120DN2E3224BPSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211
1最小包装量--
BSM25GD120DN2E3224BPSA1详情
Infineon Technologies BSM25GD120DN2E3224BPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
AG-ECONO2B
厂商
Infineon Technologies
Package
Tray
Product Status
不用于新设计
Current-Collector (Ic) (Max)
35 A
Base Product Number
BSM25G
Pd - Power Dissipation
200 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Continuous Collector Current at 25 C
35 A
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
配置
全桥
功率 - 最大
200 W
输入
Standard
最大集极截止电流
800 μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3V @ 15V, 25A
IGBT类型
-
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
1.65 nF @ 25 V
产品
IGBT硅模块
BSM25GD120DN2E3224BPSA1拓展信息
Infineon Technologies
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