Infineon Technologies BSM30GD60DLCE3224
- 收藏
- 对比
BSM30GD60DLCE3224
1211-BSM30GD60DLCE3224
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
立即发货

IGBT Modules N-CH 600V 40A
1最小包装量--
BSM30GD60DLCE3224详情
Infineon Technologies BSM30GD60DLCE3224重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
17
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95V
Current-Collector (Ic) (Max)
40A
Number of Elements
6
操作温度
150°C TJ
已出版
2000
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
17
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
17
配置
Single
功率耗散
135W
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
40A
最大集极截止电流
500μA
接通时间
39 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 30A
关断时间-标准值(toff)
103 ns
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
1.3nF @ 25V
VCEsat-最大值
2.45 V
RoHS状态
符合RoHS标准
BSM30GD60DLCE3224拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。