Infineon Technologies BSM30GP60B2BOSA1
- 收藏
- 对比
BSM30GP60B2BOSA1
1211-BSM30GP60B2BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
立即发货

IGBT MODULE 600V 50A 180W
1最小包装量--
BSM30GP60B2BOSA1详情
Infineon Technologies BSM30GP60B2BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
Current-Collector (Ic) (Max)
50A
操作温度
-40°C~125°C
零件状态
最后一次购买
配置
全桥
功率 - 最大
180W
输入
三相桥式整流器
最大集极截止电流
500μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 30A
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
1.6nF @ 25V
BSM30GP60B2BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。