Infineon Technologies BSM35GD120DN2BOSA1
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BSM35GD120DN2BOSA1
1211-BSM35GD120DN2BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT MODULE
1最小包装量--
BSM35GD120DN2BOSA1详情
Infineon Technologies BSM35GD120DN2BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
1 Week
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
供应商器件包装
AG-ECONOPACK 2K
终端数量
17
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Infineon Technologies
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
50 A
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Turn-on Time-Nom (ton)
120 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
450 ns
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
BSM35GD120DN2BOSA1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
6
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.58
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
17
JESD-30代码
R-XUFM-X17
资历状况
不合格
配置
三相逆变器
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
280 W
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
1 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.2V @ 15V, 35A
集电极电流-最大值(IC)
50 A
IGBT类型
-
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
2 nF @ 25 V
BSM35GD120DN2BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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