Infineon Technologies BSM50GD120DN2G

底架

Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

引脚数

21

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Current-Collector (Ic) (Max)

78A

Number of Elements

6

操作温度

150°C TJ

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

39

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

THROUGH-HOLE

引脚数量

39

JESD-30代码

R-XUFM-T39

配置

全桥

功率耗散

400W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

72A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

100 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.7V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

450 ns

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

33nF @ 25V

VCEsat-最大值

3.7 V

RoHS状态

符合RoHS标准