Infineon Technologies BSM50GD170DLBOSA1
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BSM50GD170DLBOSA1
1211-BSM50GD170DLBOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
1最小包装量--
BSM50GD170DLBOSA1详情
Infineon Technologies BSM50GD170DLBOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100A
Number of Elements
6
操作温度
-40°C~125°C
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
21
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
21
JESD-30代码
R-XUFM-X21
配置
全桥
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
480W
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
100μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700V
接通时间
200 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.3V @ 15V, 50A
关断时间-标准值(toff)
930 ns
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
3.5nF @ 25V
BSM50GD170DLBOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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