Infineon Technologies BSM75GAR120DN2HOSA1

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

30A

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~175°C TJ

无铅代码

no

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

7

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

JESD-30代码

R-XUFM-X7

配置

Single

功率 - 最大

235W

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

400μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 15A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

1nF @ 25V

RoHS状态

ROHS3 Compliant