Infineon Technologies BSM75GB170DN2
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BSM75GB170DN2
1211-BSM75GB170DN2
晶体管 - IGBT - 模块
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IGBT Modules N-CH 1.7KV 110A
1最小包装量--
BSM75GB170DN2详情
Infineon Technologies BSM75GB170DN2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
7
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
BSM75GB170DN2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Risk Rank
5.71
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Rise Time-Max (tr)
300 ns
Turn-off Time-Max (toff)
1000 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
650 ns
Turn-on Time-Max (ton)
800 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
400 ns
类型
Dual
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XUFM-X7
资历状况
不合格
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
110 A
集电极-发射器电压-最大值
1700 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3.9 V
环境耗散-最大值
1250 W
最大下降时间 (tf)
140 ns
高度(毫米)
30.5 mm
BSM75GB170DN2拓展信息
Infineon Technologies
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