注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥615.981498
10
¥581.114624
100
¥548.221343
500
¥517.189941
1000
¥487.915041
Infineon Technologies BSM75GD120DLCBOSA1
- 收藏
- 对比
BSM75GD120DLCBOSA1
1211-BSM75GD120DLCBOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
立即发货

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSM75GD120DLCBOSA1详情
Infineon Technologies BSM75GD120DLCBOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
48 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
125A
Number of Elements
6
操作温度
-40°C~125°C
JESD-609代码
e3
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
39
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
39
JESD-30代码
R-XUFM-X39
配置
全桥
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500W
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
92μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
110 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.6V @ 15V, 75A
关断时间-标准值(toff)
420 ns
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
5.1nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSM75GD120DLCBOSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies






哦! 它是空的。