Infineon Technologies BSM75GD120DN2BOSA1

安装类型

底座安装

表面安装

NO

包装/外壳

Module

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

103A

Number of Elements

6

操作温度

150°C TJ

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

39

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

JESD-30代码

R-XUFM-X39

配置

三相逆变器

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

520W

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

1.5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

100 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

520 ns

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

5.1nF @ 25V

RoHS状态

ROHS3 Compliant