Infineon Technologies BSO215C

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

1999

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

逻辑级

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

3.1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 3.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 10μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

246pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

3.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.1Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14.8A

DS 击穿电压-最小值

20V

雪崩能量等级（Eas）

26 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

Non-RoHS Compliant