Infineon Technologies BSP135H6433XTMA1

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

Turn Off Delay Time

28 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101

元素配置

Single

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

45 Ω @ 120mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 94μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

146pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.9nC @ 5V

上升时间

5.6ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

182 ns

连续放电电流(ID)

20mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.12A

DS 击穿电压-最小值

600V

场效应管特性

耗尽模式

RoHS状态

ROHS3 Compliant