Infineon Technologies BSP149L6906HTSA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

660mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

功率耗散

1.8W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8 Ω @ 660mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 400μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

430pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

660mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.66A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2.6A

DS 击穿电压-最小值

200V

场效应管特性

耗尽模式

RoHS状态

符合RoHS标准