Infineon Technologies BSR316PH6327XTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

360mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Tc

Turn Off Delay Time

71 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8 Ω @ 360mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 170μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

165pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7nC @ 10V

上升时间

6ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

26 ns

连续放电电流(ID)

360mA

阈值电压

-1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

-100V

反馈上限-最大值 (Crss)

20 pF

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅