Infineon Technologies BSS139H6906XTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2006

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

14 Ω @ 100mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 56μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

76pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.5nC @ 5V

上升时间

5.4ns

漏源电压 (Vdss)

250V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

100mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.1A

漏极-源极导通最大电阻

30Ohm

DS 击穿电压-最小值

250V

场效应管特性

耗尽模式

反馈上限-最大值 (Crss)

3.3 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant