Infineon Technologies BSS205NH6327XTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

PG-SOT23

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.2V @ 11μA

Turn Off Delay Time

11 ns

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Ta

已出版

2011

系列

OptiMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

接通延迟时间

5.8 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 2.5A, 4.5V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

419pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.2nC @ 4.5V

上升时间

2.9ns

Vgs（最大值）

±12V

连续放电电流(ID)

2.5A

阈值电压

700mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大双电源电压

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

漏源击穿电压

20V

最大结点温度（Tj）

150°C

反馈上限-最大值 (Crss)

24 pF

高度

1.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅