Infineon Technologies BSZ028N04LSATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Ta 40A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta 63W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8m Ω @ 20A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2300pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 10V

上升时间

4ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

40A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

40V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

21A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160A

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅