Infineon Technologies BSZ040N04LSGATMA1
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BSZ040N04LSGATMA1
1211-BSZ040N04LSGATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP
1最小包装量--
BSZ040N04LSGATMA1详情
Infineon Technologies BSZ040N04LSGATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PG-TSDSON-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
18A Ta 40A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2.1W Ta 69W Tc
Turn Off Delay Time
33 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2V @ 36μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
1998
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
69W
接通延迟时间
8.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5100pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
64nC @ 10V
上升时间
4.8ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5.4 ns
连续放电电流(ID)
40A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
40V
输入电容
5.1nF
漏源电阻
3.3mOhm
最大rds
4 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
BSZ040N04LSGATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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