Infineon Technologies BSZ105N04NSGATMA2
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BSZ105N04NSGATMA2
1211-BSZ105N04NSGATMA2
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerVDFN
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TRENCH <= 40V
1最小包装量--
BSZ105N04NSGATMA2详情
Infineon Technologies BSZ105N04NSGATMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件包装
PG-TSDSON-8-1
厂商
Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 35W (Tc)
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 14µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1300 pF @ 20 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
40 V
Vgs(最大值)
±20V
BSZ105N04NSGATMA2拓展信息
Infineon Technologies
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