Infineon Technologies BSZ215CHXTMA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.1A 3.2A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

2.5W

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N5

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N and P-Channel Complementary

Rds On(Max)@Id,Vgs

55m Ω @ 5.1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 110μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

419pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.8nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

3.2A

最大双电源电压

-20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.055Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

雪崩能量等级（Eas）

11 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 2.5V Drive

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅