Infineon Technologies BTS7904BATMA1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

40A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G5

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

69W 96W

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.7m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 40μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6100pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

121nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

55V 30V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

40A

漏极-源极导通最大电阻

0.0202Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门