Infineon Technologies DD1200S12H4HOSA1
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DD1200S12H4HOSA1
1211-DD1200S12H4HOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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MOD DIODE 1200A IHMB130-2
1最小包装量--
DD1200S12H4HOSA1详情
Infineon Technologies DD1200S12H4HOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
50 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
Current-Collector (Ic) (Max)
1200A
操作温度
-40°C~150°C
已出版
2002
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
配置
2 Independent
功率 - 最大
1200000W
输入
Standard
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.35V @ 15V, 1200A
NTC热敏电阻
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DD1200S12H4HOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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