Infineon Technologies DDB2U50N08W1RB23BOMA2

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

9

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

JESD-30代码

R-XUFM-X9

配置

2 Independent

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大漏极电流 (Abs) (ID)

60A

漏极-源极导通最大电阻

0.2Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100A

DS 击穿电压-最小值

600V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

14nF @ 25V

RoHS状态

ROHS3 Compliant