Infineon Technologies DDB6U50N16W1RPB11BPSA1
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DDB6U50N16W1RPB11BPSA1
1211-DDB6U50N16W1RPB11BPSA1
晶体管 - IGBT - 模块
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LOW POWER EASY
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DDB6U50N16W1RPB11BPSA1详情
Infineon Technologies DDB6U50N16W1RPB11BPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
夹具安装
厂商
Infineon Technologies
Package
Tray
Product Status
活跃
Vr - Reverse Voltage
1.6 kV
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Styles
底座安装
系列
*
类型
Rectifier Diode Module
子类别
Discrete Semiconductor Modules
技术
SiC
配置
Single
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
重复峰值反向电压
1.6kV
产品
Schottky Diode Modules
Vf-正向电压
1.61 V
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1拓展信息
Infineon Technologies
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