Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BOMA1

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tray

系列

CoolSiC™+

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

21

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-XUFM-X21

配置

COMPLEX

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

20mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 50A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 20mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3950pF @ 800V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

125nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

1200V 1.2kV

最大漏极电流 (Abs) (ID)

55A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100A

DS 击穿电压-最小值

1200V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Silicon Carbide (SiC)

RoHS状态

符合RoHS标准