DF11MR12W1M1B11BPSA1
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Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BPSA1

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型号

DF11MR12W1M1B11BPSA1

utmel 编号

1211-DF11MR12W1M1B11BPSA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET MOD 1200V 50A

起订量

1最小包装量--

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DF11MR12W1M1B11BPSA1
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies MOSFET MOD 1200V 50A

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DF11MR12W1M1B11BPSA1详情

Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Module

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    50A Tj

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 系列

    CoolSiC™+

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    不适用

  • 功率 - 最大

    20mW

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    22.5m Ω @ 50A, 15V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5.55V @ 20mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3680pF @ 800V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    124nC @ 15V

  • 漏源电压 (Vdss)

    1200V

  • 场效应管特性

    Silicon Carbide (SiC)

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BPSA1.

DF11MR12W1M1B11BPSA1拓展信息

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