Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BPSA1
- 收藏
- 对比
DF11MR12W1M1B11BPSA1
1211-DF11MR12W1M1B11BPSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
Module
大陆
立即发货

MOSFET MOD 1200V 50A
1最小包装量--
DF11MR12W1M1B11BPSA1详情
Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tj
操作温度
-40°C~150°C TJ
系列
CoolSiC™+
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
功率 - 最大
20mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
22.5m Ω @ 50A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.55V @ 20mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3680pF @ 800V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
124nC @ 15V
漏源电压 (Vdss)
1200V
场效应管特性
Silicon Carbide (SiC)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DF11MR12W1M1B11BPSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。