Infineon Technologies DF160R12W2H3_B11
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DF160R12W2H3_B11
1211-DF160R12W2H3_B11
晶体管 - IGBT - 模块
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IGBT MODULE VCES 1200V 150A
1最小包装量--
DF160R12W2H3_B11详情
Infineon Technologies DF160R12W2H3_B11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
28 Weeks
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
4
已出版
2013
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
19
附加功能
UL认证
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-XUFM-X19
配置
COMPLEX
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
接通时间
49 ns
集电极电流-最大值(IC)
50A
关断时间-标准值(toff)
375 ns
集电极-发射器电压-最大值
1200V
RoHS状态
符合RoHS标准
DF160R12W2H3_B11拓展信息
Infineon Technologies
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