Infineon Technologies DF200R12W1H3B27BOMA1

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

30A

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~150°C

已出版

2002

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

18

附加功能

UL认证

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-XUFM-X18

配置

2 Independent

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

375W

晶体管应用

电源控制

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

40 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.3V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

475 ns

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

2nF @ 25V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅