Infineon Technologies DF75R12W1H4FB11BOMA2
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DF75R12W1H4FB11BOMA2
1211-DF75R12W1H4FB11BOMA2
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
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DF75R12W1H4FB11BOMA2详情
Infineon Technologies DF75R12W1H4FB11BOMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
25A
Number of Elements
3
操作温度
-40°C~150°C TJ
系列
EasyPACK™ 1B
已出版
2002
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
17
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-XUFM-X17
配置
三相逆变器
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
20mW
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
58 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.65V @ 15V, 25A
关断时间-标准值(toff)
500 ns
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
2nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DF75R12W1H4FB11BOMA2拓展信息
Infineon Technologies
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