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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥352.858568
10
¥332.88544
100
¥314.042868
500
¥296.266856
1000
¥279.497034
Infineon Technologies F3L100R12W2H3B11BPSA1
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F3L100R12W2H3B11BPSA1
1211-F3L100R12W2H3B11BPSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT MODULE VCES 600V 200A
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¥
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F3L100R12W2H3B11BPSA1详情
Infineon Technologies F3L100R12W2H3B11BPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100A
Number of Elements
4
操作温度
-40°C~150°C
已出版
2002
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
32
ECCN 代码
EAR99
附加功能
UL认证
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
JESD-30代码
R-XUFM-X32
配置
三相逆变器
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
375W
晶体管应用
GENERAL PURPOSE
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
175 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.75V @ 15V, 50A
关断时间-标准值(toff)
465 ns
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
6.15nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
F3L100R12W2H3B11BPSA1拓展信息
Infineon Technologies
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