注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥568.616658
10
¥536.430809
100
¥506.066799
500
¥477.421513
1000
¥450.39765
Infineon Technologies F3L150R12W2H3B11BPSA1
- 收藏
- 对比
F3L150R12W2H3B11BPSA1
1211-F3L150R12W2H3B11BPSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
立即发货

Igbt Module Vces 600V 150A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
F3L150R12W2H3B11BPSA1详情
Infineon Technologies F3L150R12W2H3B11BPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
表面安装
NO
包装/外壳
Module
安装类型
底座安装
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
4
Current-Collector (Ic) (Max)
75A
操作温度
-40°C~150°C
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
32
ECCN 代码
EAR99
附加功能
UL认证
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
JESD-30代码
R-XUFM-X32
配置
三相逆变器
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500W
晶体管应用
GENERAL PURPOSE
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
210 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.75V @ 15V, 75A
关断时间-标准值(toff)
510 ns
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
8.7nF @ 25V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
F3L150R12W2H3B11BPSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies






哦! 它是空的。