Infineon Technologies FD1000R33HE3KBOSA1
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FD1000R33HE3KBOSA1
1211-FD1000R33HE3KBOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT MODULE 3300V 1000A
1最小包装量--
FD1000R33HE3KBOSA1详情
Infineon Technologies FD1000R33HE3KBOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
Current-Collector (Ic) (Max)
1000A
操作温度
-40°C~150°C
零件状态
活跃
Reach合规守则
compliant
配置
双制动斩波器
功率 - 最大
11500W
输入
Standard
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
3300V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.15V @ 15V, 1kA
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
190nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
FD1000R33HE3KBOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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