Infineon Technologies FD1000R33HL3KBPSA1

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

1000A

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~150°C

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

9

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

JESD-30代码

R-XUFM-X9

配置

2 Independent

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

11500W

晶体管应用

电源控制

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

3300V

接通时间

1050 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.85V @ 15V, 1000A

关断时间-标准值（toff)

4700 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

190nF @ 25V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅