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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1116.399134
10
¥1053.206727
100
¥993.591253
500
¥937.350238
1000
¥884.292678
Infineon Technologies FD200R12PT4B6BOSA1
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FD200R12PT4B6BOSA1
1211-FD200R12PT4B6BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT MODULE VCES 1200V 200A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FD200R12PT4B6BOSA1详情
Infineon Technologies FD200R12PT4B6BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
24 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
Current-Collector (Ic) (Max)
300A
操作温度
-40°C~150°C
已出版
2002
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
三相逆变器
功率 - 最大
1100W
无卤素
不含卤素
输入
Standard
最大集极截止电流
15μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 200A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
12.5nF @ 25V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
FD200R12PT4B6BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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