Infineon Technologies FD400R33KF2CKNOSA1
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FD400R33KF2CKNOSA1
1211-FD400R33KF2CKNOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT MODULE VCES 650V 400A
1最小包装量--
FD400R33KF2CKNOSA1详情
Infineon Technologies FD400R33KF2CKNOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
引脚数
130
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
660A
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~125°C
已出版
2015
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
7
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
JESD-30代码
R-XUFM-X7
配置
单斩波器
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
4800W
晶体管应用
电源控制
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
3.3kV
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
3300V
接通时间
480 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
4.25V @ 15V, 400A
关断时间-标准值(toff)
1900 ns
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
50nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
FD400R33KF2CKNOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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