FD650R17IE4BOSA2
FD650R17IE4BOSA2

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Infineon Technologies FD650R17IE4BOSA2

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型号

FD650R17IE4BOSA2

utmel 编号

1211-FD650R17IE4BOSA2

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT MOD 1700V 930A 4150W

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FD650R17IE4BOSA2
FD650R17IE4BOSA2 Infineon Technologies IGBT MOD 1700V 930A 4150W

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FD650R17IE4BOSA2详情

Infineon Technologies FD650R17IE4BOSA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Module

  • 表面安装

    NO

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    930A

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -40°C~150°C

  • 系列

    PrimePack™2

  • 已出版

    2002

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    10

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    10

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X10

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    Single

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 功率 - 最大

    4150W

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    Standard

  • 最大集极截止电流

    5mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1700V

  • 接通时间

    720 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.45V @ 15V, 650A

  • 关断时间-标准值(toff)

    1870 ns

  • NTC热敏电阻

  • 输入电容(Cies)@Vce

    54nF @ 25V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Infineon Technologies FD650R17IE4BOSA2.

FD650R17IE4BOSA2拓展信息

FP30R06W1E3BOMA1
FP30R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

FS820R08A6P2BBPSA1
FS820R08A6P2BBPSA1

Infineon Technologies

FF450R12ME4BOSA1
FF450R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF300R12KS4HOSA1
FF300R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

FF450R17ME4BOSA1
FF450R17ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF600R12ME4BOSA1
FF600R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

FF75R12RT4HOSA1
FF75R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FD150R12RT4HOSA1
FD150R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FF225R12ME4BOSA1
FF225R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

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