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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2823.083505
10
¥2663.286323
100
¥2512.534268
500
¥2370.315349
1000
¥2236.146556
Infineon Technologies FD650R17IE4BOSA2
- 收藏
- 对比
FD650R17IE4BOSA2
1211-FD650R17IE4BOSA2
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT MOD 1700V 930A 4150W
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FD650R17IE4BOSA2详情
Infineon Technologies FD650R17IE4BOSA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
930A
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~150°C
系列
PrimePack™2
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
10
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
10
JESD-30代码
R-XUFM-X10
资历状况
不合格
配置
Single
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
4150W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700V
接通时间
720 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 650A
关断时间-标准值(toff)
1870 ns
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
54nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FD650R17IE4BOSA2拓展信息
Infineon Technologies
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