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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥720.287827
10
¥679.516818
100
¥641.053603
500
¥604.76755
1000
¥570.535426
Infineon Technologies FF100R12KS4HOSA1
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FF100R12KS4HOSA1
1211-FF100R12KS4HOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FF100R12KS4HOSA1详情
Infineon Technologies FF100R12KS4HOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
150A
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~125°C
已出版
2002
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
7
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
7
JESD-30代码
R-XUFM-X7
配置
2 Independent
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
780W
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
180 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.7V @ 15V, 100A
关断时间-标准值(toff)
590 ns
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
650nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FF100R12KS4HOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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