Infineon Technologies FF11MR12W1M1B11BOMA1

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

制造商包装标识符

AG-EASY1BM-2

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

64.3 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tray

系列

CoolSiC™+

已出版

2008

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

18

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-XUFM-X18

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

20mW

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

25.1 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 100A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.55V @ 40mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7950pF @ 800V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

250nC @ 15V

漏源电压 (Vdss)

1200V 1.2kV

连续放电电流(ID)

100A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Silicon Carbide (SiC)

高度

12.35mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant