Infineon Technologies FF150R12KE3B8BDLA1
- 收藏
- 对比
FF150R12KE3B8BDLA1
1211-FF150R12KE3B8BDLA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
立即发货

IGBT MODULE
1最小包装量--
FF150R12KE3B8BDLA1详情
Infineon Technologies FF150R12KE3B8BDLA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
AG-62MM
厂商
Infineon Technologies
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
225 A
系列
-
操作温度
-40°C ~ 125°C (TJ)
配置
半桥
功率 - 最大
1250 W
输入
Standard
最大集极截止电流
5 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.7V @ 15V, 150A
IGBT类型
-
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
11 nF @ 25 V
FF150R12KE3B8BDLA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。