Infineon Technologies FF150R12MS4GBOSA1
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FF150R12MS4GBOSA1
1211-FF150R12MS4GBOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT MODULE VCES 1200V 150A
1最小包装量--
FF150R12MS4GBOSA1详情
Infineon Technologies FF150R12MS4GBOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
11
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.7V
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~125°C
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
11
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
11
资历状况
不合格
配置
2 Independent
元素配置
Dual
功率耗散
1.25kW
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
1250W
晶体管应用
电源控制
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
225A
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
180 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.7V @ 15V, 150A
关断时间-标准值(toff)
590 ns
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
11nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
Contains Lead, Lead Free
FF150R12MS4GBOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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