Infineon Technologies FF200R06YE3

表面安装

NO

终端数量

7

晶体管元件材料

SILICON

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.45 V

Continuous Collector Current at 25 C

220 A

Gate-Emitter Leakage Current

400 nA

Pd - Power Dissipation

515 W

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

20

Part # Aliases

SP000100347 FF200R06YE3BOMA1

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

130 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

470 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

FF200R06YE3

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

8.45

Part Package Code

MODULE

包装

Bulk

无铅代码

有

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

24

JESD-30代码

R-XUFM-X7

资历状况

不合格

配置

Dual

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大耗散功率(Abs)

515 W

集电极电流-最大值(IC)

220 A

集电极-发射器电压-最大值

600 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

1.9 V

产品

IGBT硅模块

高度

17 mm

长度

55.9 mm

宽度

45.6 mm