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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥863.291709
10
¥814.426143
100
¥768.326547
500
¥724.836366
1000
¥683.807895
Infineon Technologies FF200R12KE4PHOSA1
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FF200R12KE4PHOSA1
1211-FF200R12KE4PHOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT MODULE 1200V 200A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FF200R12KE4PHOSA1详情
Infineon Technologies FF200R12KE4PHOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
200A
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~150°C
已出版
2007
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
7
附加功能
UL认证
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
JESD-30代码
R-XUFM-X7
配置
半桥
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
325 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.15V @ 15V, 200A
关断时间-标准值(toff)
800 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
14nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FF200R12KE4PHOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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