Infineon Technologies FF2MR12KM1HOSA1
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FF2MR12KM1HOSA1
1211-FF2MR12KM1HOSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
Module
大陆
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MEDIUM POWER 62MM
1最小包装量--
FF2MR12KM1HOSA1详情
Infineon Technologies FF2MR12KM1HOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
AG-62MM
厂商
Infineon Technologies
Package
Tray
Product Status
最后一次购买
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
500A (Tc)
Base Product Number
FF2MR12
Continuous Drain Current Id
500
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
功率 - 最大
-
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.13mOhm @ 500A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.15V @ 224mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
39700pF @ 800V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1340nC @ 15V
漏源电压 (Vdss)
1200V (1.2kV)
信道型
Dual N
场效应管特性
Standard
FF2MR12KM1HOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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