FF400R12KT3EHOSA1
FF400R12KT3EHOSA1

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Infineon Technologies FF400R12KT3EHOSA1

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型号

FF400R12KT3EHOSA1

utmel 编号

1211-FF400R12KT3EHOSA1

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT MODULE VCES 650V 400A

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FF400R12KT3EHOSA1
FF400R12KT3EHOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 650V 400A

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FF400R12KT3EHOSA1详情

Infineon Technologies FF400R12KT3EHOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Module

  • 表面安装

    NO

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    580A

  • Number of Elements

    2

  • 操作温度

    -40°C~125°C

  • 已出版

    2002

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    7

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    UL 认证

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X7

  • 配置

    2 Independent

  • 元素配置

    Dual

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 功率 - 最大

    2000W

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 无卤素

    不含卤素

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    Standard

  • 最大集极截止电流

    5mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 接通时间

    215 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.15V @ 15V, 400A

  • 关断时间-标准值(toff)

    680 ns

  • NTC热敏电阻

  • 输入电容(Cies)@Vce

    28nF @ 25V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Infineon Technologies FF400R12KT3EHOSA1.

FF400R12KT3EHOSA1拓展信息

FP30R06W1E3BOMA1
FP30R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

FS820R08A6P2BBPSA1
FS820R08A6P2BBPSA1

Infineon Technologies

FF450R12ME4BOSA1
FF450R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF300R12KS4HOSA1
FF300R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

FF450R17ME4BOSA1
FF450R17ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF600R12ME4BOSA1
FF600R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

FF75R12RT4HOSA1
FF75R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FD150R12RT4HOSA1
FD150R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FF225R12ME4BOSA1
FF225R12ME4BOSA1

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