Infineon Technologies FF401R17KF6C_B2
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FF401R17KF6C_B2
1211-FF401R17KF6C_B2
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 650A 8-Pin IHM
1最小包装量--
FF401R17KF6C_B2详情
Infineon Technologies FF401R17KF6C_B2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
24 Weeks
包装/外壳
Module
安装类型
底座安装
底架
Screw
引脚数
8
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.6V
操作温度
-40°C~125°C
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
配置
2 Independent
元素配置
Dual
功率耗散
3.1kW
功率 - 最大
3150W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.7kV
最大集电极电流
650A
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.1V @ 15V, 400A
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
27nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
FF401R17KF6C_B2拓展信息
Infineon Technologies
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