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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1081.337735
10
¥1020.129939
100
¥962.386733
500
¥907.91201
1000
¥856.520768
Infineon Technologies FF450R12ME4PB11BOSA1
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FF450R12ME4PB11BOSA1
1211-FF450R12ME4PB11BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT MODULE 1200V 450A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FF450R12ME4PB11BOSA1详情
Infineon Technologies FF450R12ME4PB11BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.75V
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
490 ns
操作温度
-40°C~150°C
已出版
2002
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
11
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-XUFM-X11
配置
2 Independent
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
190 ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集极截止电流
3mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
290 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 450A
最大结点温度(Tj)
150°C
连续集电极电流
450A
关断时间-标准值(toff)
740 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
28nF @ 25V
高度
17.5mm
RoHS状态
符合RoHS标准
FF450R12ME4PB11BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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