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Infineon Technologies FF45MR12W1M1PB11BPSA1

Name: FF45MR12W1M1PB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-FF45MR12W1M1PB11BPSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FF45MR12W1M1PB11BPSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-FF45MR12W1M1PB11BPSA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

封装

Module

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

LOW POWER EASY AG-EASY1BM-2

起订量

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FF45MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies LOW POWER EASY AG-EASY1BM-2

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FF45MR12W1M1PB11BPSA1详情

技术参数

Infineon Technologies FF45MR12W1M1PB11BPSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

底座安装
包装/外壳

Module
供应商器件包装

AG-EASY1BM
厂商

Infineon Technologies
Package

Tray
Product Status

Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A (Tj)
Continuous Drain Current Id

25
操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)
功率耗散

20
功率 - 最大

20mW (Tc)
场效应管类型

2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs

45mOhm @ 25A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.55V @ 10mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1840pF @ 800V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

62nC @ 15V
漏源电压 (Vdss)

1200V (1.2kV)
信道型

Dual N
场效应管特性

Silicon Carbide (SiC)

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FF45MR12W1M1PB11BPSA1拓展信息

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