注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1310.666661
10
¥1236.477984
100
¥1166.488665
500
¥1100.461001
1000
¥1038.170755
Infineon Technologies FF600R17ME4BOSA1
- 收藏
- 对比
FF600R17ME4BOSA1
1211-FF600R17ME4BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
立即发货

IGBT Modules EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FF600R17ME4BOSA1详情
Infineon Technologies FF600R17ME4BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~150°C
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
11
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
11
JESD-30代码
R-XUFM-X11
配置
2 Independent
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700V
接通时间
320 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V, 600A
关断时间-标准值(toff)
980 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
48nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
FF600R17ME4BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。